Perbezaan utama antara wafer silikon monohabluran jenis N dan P untuk fotovoltaik suria
Perbezaan utama antara wafer silikon monohabluran jenis N dan P untuk fotovoltaik suria
Wafer silikon monokristalin mempunyai sifat fizikal kuasi-logam, dengan kekonduksian yang lemah, dan kekonduksian mereka meningkat dengan peningkatan suhu. Mereka juga mempunyai sifat semikonduktor yang ketara. Dengan mendopan wafer silikon monohablur ultra tulen dengan jumlah boron yang kecil, kekonduksian boleh ditingkatkan untuk membentuk semikonduktor silikon jenis P. Begitu juga, doping dengan sejumlah kecil fosforus atau arsenik juga boleh meningkatkan kekonduksian, membentuk semikonduktor silikon jenis N. Jadi, apakah perbezaan antara wafer silikon jenis P dan N?
Perbezaan utama antara wafer silikon monohabluran jenis P dan N adalah seperti berikut:
Dopan: Dalam silikon monohabluran, doping dengan fosforus menjadikannya jenis N, dan doping dengan boron menjadikannya jenis P.
Kekonduksian: Jenis-N adalah pengalir elektron, dan jenis P adalah pengalir lubang.
Prestasi: Lebih banyak fosforus didopkan ke dalam jenis N, lebih banyak elektron bebas terdapat, lebih kuat kekonduksian, dan lebih rendah kerintangan. Lebih banyak boron didopkan ke dalam jenis P, lebih banyak lubang yang dihasilkan dengan menggantikan silikon, lebih kuat kekonduksian, dan lebih rendah kerintangan.
Pada masa ini, wafer silikon jenis P adalah produk arus perdana dalam industri fotovoltaik. Wafer silikon jenis P adalah mudah untuk dikeluarkan dan mempunyai kos yang rendah. Wafer silikon jenis N biasanya mempunyai jangka hayat pembawa minoriti yang lebih lama, dan kecekapan sel suria boleh dibuat lebih tinggi, tetapi prosesnya lebih rumit. Wafer silikon jenis N didop dengan fosforus, yang mempunyai keterlarutan yang lemah dengan silikon. Semasa lukisan rod, fosforus tidak diagihkan sama rata. Wafer silikon jenis P didop dengan boron, yang mempunyai pekali pengasingan yang serupa dengan silikon, dan keseragaman serakan mudah dikawal.